北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“反熔丝存储单元、反熔丝存储阵列和存储器”的专利，公开号CN121884911A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种反熔丝存储单元、反熔丝存储阵列和存储器，反熔丝存储单元包括：反熔丝结构，反熔丝结构具有第一端以及第二端；选择晶体管，包括漏极和源极，漏极和源极中的一者与反熔丝结构的第一端耦接；稳压二极管，稳压二极管的阳极与所述漏极和源极中的另一者耦接。本发明实施例通过在反熔丝存储单元中加入稳压二极管，其与选择晶体管串联，稳压二极管可以为选择晶体管提供稳定的电压，有利于抵抗电流波动带来的干扰，相应的，选择晶体管可以为反熔丝结构提供稳定的电流，从而提高反熔丝结构的编程可靠性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目116次，财产线索方面有商标信息207条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可480个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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