晶合集成取得图像传感器相关专利，本发明制造图像传感器可降低光电管串扰

来源：新浪证券-红岸工作室

4月18日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制造方法”的专利，授权公告号CN114883353B，授权公告日为2026年4月17日。申请公布号为CN114883353A，申请号为CN202210525558.6，申请公布日期为2026年4月17日，申请日期为2022年5月16日，发明人饶续、马忠祥、龚柏铧、谢荣源，专利代理机构上海汉之律师事务所，专利代理师吴向青，分类号H10F39/18、H10F39/00。

专利摘要显示，本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，属于半导体制造技术领域，且所述图像传感器的制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构将衬底区分为多个感光区域；向所述感光区域中多次注入离子，形成光电二极管的预掺杂区；对所述感光区域进行退火，形成所述光电二极管的掺杂区，所述光电二极管的掺杂区的深度大于所述浅沟槽隔离结构的深度；以及在所述衬底上沉积多晶硅层，并蚀刻所述多晶硅层，形成控制结构。通过本发明提供的一种图像传感器及其制造方法，可降低相邻光电二极管之间的串扰。

晶合集成于2015年5月19日成立，2023年5月5日在上海证券交易所上市。公司注册与办公地址均涉及安徽省合肥市。晶合集成是国内知名的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发能力，在集成电路制造领域有较强竞争力。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多种制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，属于安徽国资、国企改革、政府控股概念板块。

2025年，晶合集成营业收入达108.85亿元，在行业5家企业中排名第3，与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹公司的172.91亿元相比有差距，行业平均数为194.1亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名同样为第3，第一名中芯国际72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数16.29亿元，中位数4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体器件的测试结构及测试方法发明专利公布CN202610330738.72026-03-18CN121865901A2026-04-14尚正阳、王维安、程洋2一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610320005.52026-03-17CN121865655A2026-04-14尚正阳、王维安、杨宗凯3一种金属场板的制造方法发明专利公布CN202610324950.22026-03-17CN121865673A2026-04-14尚正阳、王维安4半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610321343.02026-03-17CN121888607A2026-04-17康绍磊5一种水溶性防护膜及其制备方法和应用发明专利公布CN202610312126.52026-03-16CN121851828A2026-04-14葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、蔡马龙6一种防护膜及其制备方法和应用发明专利公布CN202610312129.92026-03-16CN121873627A2026-04-17葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、许雨芩7半导体FDC卡控分群的异常识别方法及系统发明专利公布CN202610306246.42026-03-13CN121834632A2026-04-10李惠玉、简炜宸8一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610303309.02026-03-13CN121843514A2026-04-10卢俊玮9半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610296701.72026-03-12CN121843508A2026-04-10李猛猛、任大雅、魏巍、唐鹏飞10MIM电容结构及其制备方法发明专利公布CN202610296709.32026-03-12CN121843133A2026-04-10方婧媛、洪繁、谢荣源11用于背照式图像传感器的像素单元及其制备方法发明专利公布CN202610295345.72026-03-11CN121815782A2026-04-07张浩、董宗谕、卞亚飞12孔槽、沟槽隔离结构及半导体制备方法发明专利公布CN202610290291.52026-03-11CN121843506A2026-04-10唐鹏飞、魏巍、李猛猛13半导体结构的制造方法、半导体结构和图像传感器发明专利公布CN202610289492.32026-03-11CN121865716A2026-04-14张浩、董宗谕、王梦晴、卞亚飞14电性参数预测模型的训练方法、预测方法和相关装置发明专利公布CN202610286061.12026-03-10CN121808745A2026-04-07马姣、邱茹蒙、吴文豪、陈健、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒、王仲盛15掩模标记及生成方法、光刻方法、套刻误差的测量方法发明专利公布CN202610282910.62026-03-10CN121832192A2026-04-10门莹莹、黄玉、周立早16晶圆键合对准补偿方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610275407.82026-03-09CN121793825A2026-04-03伍德超、陈建松17一种浸没式光刻图形水浸入型缺陷改善方法发明专利公布CN202610274800.52026-03-09CN121785058A2026-04-03赵志豪、李海峰、沈俊明18半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610276804.72026-03-09CN121843157A2026-04-10王文智、王仲盛19图像传感器及其形成方法发明专利公布CN202610268737.42026-03-06CN121793475A2026-04-03王志伟、都智、马忠祥、谢荣源20半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法发明专利公布CN202610267257.62026-03-06CN121793655A2026-04-03王文智21半导体器件版图设计装置以及半导体器件版图设计方法发明专利公布CN202610261372.22026-03-05CN121787361A2026-04-03大﨑秀史22一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610260995.82026-03-05CN121843156A2026-04-10李文超、杨智强、林子荏、张旭、俞洁23一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法发明专利公布CN202610256197.82026-03-04CN121763040A2026-03-31董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰24半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610256764.X2026-03-04CN121793665A2026-04-03刘苏涛、林士闵、聂林辉25半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法发明专利公布CN202610249024.32026-03-03CN121772328A2026-03-31王文智26半导体器件的制造方法和半导体器件发明专利公布CN202610252765.72026-03-03CN121772724A2026-03-31方小婷、陈冠中、吴明刚27一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610250050.82026-03-03CN121772275A2026-03-31宫本正文、石田浩28一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610245463.72026-03-02CN121752050A2026-03-27陈杨、张惠慧、刘然29半导体测试结构及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610243473.72026-03-02CN121741434A2026-03-27桑华煜、程洋、汪华30一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610243328.92026-03-02CN121752034A2026-03-27祝君龙、刘哲儒31一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构发明专利公布CN202610247747.X2026-03-02CN121772620A2026-03-31阮钢、运广涛、苏圣哲32一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610230677.72026-02-27CN121729066A2026-03-24盛云、高志杰、蔡宗佐、高佑琳33半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610226083.92026-02-26CN121728821A2026-03-24刘苏涛、林士闵34半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610227349.12026-02-26CN121752041A2026-03-27查鸿凯、程挚35自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610214878.82026-02-14CN121712261A2026-03-20赵西连、李婷、蒋倩文36一种结型场效应管及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610209966.92026-02-13CN121712070A2026-03-20刘凯、北口裕久37布线方法、装置、存储介质及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610210041.62026-02-13CN121706718A2026-03-20陈星、郭军38掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610212003.42026-02-13CN121742116A2026-03-27陶思友、巫振伟、汪雪春39表单生成方法、表单生成系统、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610203763.92026-02-12CN121680850A2026-03-17杨昆、崔洁、陈云、许紫璇40一种抑制CIS暗电流的方法及CIS发明专利公布CN202610204137.12026-02-12CN121692822A2026-03-17陈铜、冯文辉41MOSFET电流模拟模型的构建、模拟方法及相关装置发明专利公布CN202610195676.32026-02-11CN121683668A2026-03-17姚子凤、柯天麒、张立涛42半导体器件的参数校准方法和制造方法发明专利公布CN202610197892.12026-02-11CN121683692A2026-03-17王磊、邓少鹏、汪文婷、刘波、魏港澳43方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610200279.02026-02-11CN121724086A2026-03-24许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒44一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610181967.72026-02-09CN121665627A2026-03-13刘洋、李琦琦45高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法发明专利公布CN202610182773.92026-02-09CN121692729A2026-03-17刘凯、北口裕久、王维安、程洋46一种键合结构及其制备方法发明专利公布CN202610180499.12026-02-09CN121693222A2026-03-17崔立加、余义祥、徐华超、王梦晴47MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备发明专利公布CN202610170035.22026-02-06CN121659880A2026-03-13张立涛、方昕、张雅琳48半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164443.72026-02-05CN121665622A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉49半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164440.32026-02-05CN121665621A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉50掩模板、图形形成方法及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610149919.X2026-02-03CN121634685A2026-03-10桑华煜、汪华、程洋、代海坡

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