快科技4月17日消息,据媒体报道,在近日的季度财报法人说明会上,台积电披露了1nm及以下工艺生产线的相关规划。
公司计划在中国台湾台南建设A10晶圆厂,其中P1至P4厂区将用于发展1nm及以下的先进制程技术,预计2029年启动试产,初期月产能为5000片晶圆。
在美国亚利桑那州凤凰城的Fab 21工厂方面,未来P3、P4、P5厂区将分别对应2nm、A16和A14工艺。台积电还在该区域临近规划了6个厂区,共计11座晶圆厂。
其中,首座先进封装厂将于今年下半年动工,目标2028年启用,初期将采用SoIC和CoWoS先进封装技术。
台积电同时确认,下一代先进封装技术为CoPoS,即CoWoS的"面板化"演进方案。不过,该技术的推进难度高于预期,所需时间也比外界预估更长,这使得台积电的态度趋于谨慎。
供应链相关人士指出,CoPoS目前面临的瓶颈主要集中在"均匀度"与"翘曲"等问题上。
针对英特尔近期宣布加入埃隆·马斯克此前公布的TeraFab项目,台积电也作出了回应。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示,台积电视英特尔为强大的竞争对手,绝未低估对方,但晶圆代工行业没有捷径,基本的游戏规则永远不会改变。
![]()
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.