国产存储双雄IPO竞速：长鑫“补考”，长存千亿扩产

作者｜陈安

编辑｜王以沫

2026年春天，国产存储两大龙头——武汉长江存储与合肥长鑫科技，几乎同时站上资本市场的聚光灯下。

跃跃欲试

长江存储母公司长存集团已于2025年9月完成股份制改造，选定中金公司等头部投行，正式进入科创板IPO冲刺阶段。

长鑫科技拟募资295亿元投向晶圆制造产线与DRAM技术升级，IPO前估值超1500亿元。尽管2026年3月31日其IPO状态因财务资料过期变更为“中止”，但这并非负面信号，知情人士透露，原定3月中旬上市的长鑫，恰恰需要更新近半年存储芯片大幅涨价后的业绩数据，“补交后会让业绩变得更好看”。

图片来源：上交所官网

长存的出圈，背后是武汉国资长达十年的耐心布局。从2015年国家决定在武汉建设长江存储起，湖北、武汉、东湖高新区三级政府累计投入近300亿元。如今武汉国资持有长江存储超50%股份，按上市后6000亿元市值估算，将收获超1500亿元投资收益。这不仅是一次财务回报，更是地方国资以“耐心资本”推动硬科技突围的典型案例。

业绩的爆发式增长，为IPO提供了最坚实的底气。长江存储2026年第一季度营收突破200亿元，同比翻倍，其NAND闪存芯片全球市场份额超过10%，逼近全球第三。

值得一提的是，存储芯片价格仍在加速上涨，TrendForce预测二季度DRAM合约价将季增58%至63%，NAND闪存合约价季增70%至75%，供不应求预计持续至2027年。

长鑫科技2025年前三季度营收达320.84亿元，同比增长97.79%，毛利率从上半年的12.72%跃升至35%，市场份额从约3.97%提升至约5%，稳居全球第四大DRAM供应商。

按此趋势，长鑫2025年全年营收可达550亿至580亿元，并首次实现年度盈利（预计20-35亿元）。

产能端同样值得关注，长江存储在现有两座晶圆厂基础上，正全力推进三期工厂建设，并计划再建两座新厂，全部投产后总产能翻倍，单厂月产能达10万片。三期工厂建筑已竣工，设备安装紧锣密鼓，预计年底投产。长鑫科技也在合肥、北京布局多座12英寸晶圆厂，IPO募资将直接推动下一轮产能释放。

技术层面，长江存储自主研发的Xtacking架构已量产232层3D NAND，位密度达15.03Gb/mm²，成为全球首个突破该密度上限的厂商，并反向授权三星等海外巨头专利。

长鑫科技攻克17nm DDR5，良率爬升至较高水平，单位晶圆成本较韩国厂商低15%至20%，2025年9月向华为交付16nm制程HBM3样品，计划2026年量产，技术代差缩小至3年。

抢货现象

产品落地方面，长江存储企业级SSD已批量供应阿里云、腾讯云，消费级品牌“致态”在京东双11销量反超三星；长鑫科技覆盖阿里、字节、联想、小米、OPPO、vivo等核心客户。市场已出现“先款后货”的抢货现象。

这场扩产并非简单的规模复制，而是带动整条本土设备与材料产业链实现历史性替代。长江存储三期工厂国产设备采购占比首次突破50%，并在新建产线中推行“多元化产线”战略，主动提升国产化率以降低单一依赖。

过去国产供应商需靠大幅降价才能勉强进入产线，如今由于海外巨头（日本信越、美国应特格）受制于产能及交期，响应缓慢，昌红科技的晶圆载具产品在2026年客户端采购份额已快速提升超半数，首次超过进口产品，并力争成为新建产线的基准供应商。

中微公司刻蚀设备反应台全球出货超6800台，接触孔用WCVD设备已在头部存储厂完成量产验证并获批量订单。

精测电子2025年半导体业务订单、收入和利润同步增长，预计全年净利润同比增长182%至192%。

鼎龙股份的CMP抛光垫、抛光液已规模化供应存储客户，并与长江存储共同拥有抛光垫发明专利。

过去国产设备材料进入晶圆厂需要漫长验证周期，而长江存储和长鑫科技的快速扩产阶段，首次给了本土厂商“上车”机会。

只要产品具备稳定性和本地响应速度，就能完成导入并抬升份额，一旦在主流产线跑通，后续渗透将呈指数级增长。

这一轮替代正在催生一批具备国际竞争力的国产设备材料企业，整条本土供应链迎来从1到N的放量拐点。

理性平衡

站在产业维度，这轮国产存储崛起由AI算力需求、供应链安全与价格上行三大条件首次同频共振驱动。

AI服务器大量挤占HBM和高端DRAM产能，三星、SK海力士将80%以上先进产能转向高利润产品，导致消费级DRAM和NAND闪存出现严重的供应缺口，部分低毛利产品（如8G车规级存储）被阶段性停产。

国际巨头产能重分配留下的真空，正由国产厂商快速填补，打破了海外厂商长期以来的定价霸权。

终端采购策略同步重塑：头部手机厂商加大与长鑫、长江存储及福建晋华的合作，部分系统级设备公司已实现存储芯片100%国产化，这是基于“可控供应”与“成本效率”的理性平衡。

长江存储的野心不止于NAND，尤其是三期工厂已预留部分产能用于低功耗DRAM试产，并布局硅通孔（TSV）封装技术，为进军HBM市场做准备，有望在2028年将全球NAND份额提升至15%，重塑“三极”竞争格局。

值得注意的是，长鑫科技无法获取EUV光刻机，需依靠多重曝光等复杂工艺，制造成本高于国际巨头；长江存储产能规模和品牌渗透率仍有差距；中美科技博弈加剧，设备出口管制可能影响后续扩产。

不过，正如武汉国资十年投入所证明的，半导体是一场马拉松。从2015年国家决定建设长江存储起，十年巨额资本与政府耐心陪伴，换来了武汉在全球存储器产业版图跻身第一梯队、带动当地集成电路规模破千亿元的成果。

长江存储一季度200亿收入只是开始，长鑫IPO“中止”等待更亮眼业绩并非挫折而是蓄势。当全球存储市场因AI掀起涨价潮，当国际巨头产能被HBM挤占，当国产设备材料首次在新建产线占据半壁江山，应该说中国存储产业正站在从追赶者向规则参与者跨越的历史拐点上。

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