北京
分享至
国家知识产权局信息显示，中国地质大学（武汉）;四方光电股份有限公司申请一项名为“一种采用蒙脱石制备硅基/铝基固态胺吸附剂及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121847068A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及二氧化碳吸附剂技术领域，尤其涉及一种采用蒙脱石制备硅基/铝基固态胺吸附剂及其制备方法和应用。本发明将经过酸活化处理的蒙脱石，提取出了以二氧化硅为主要成分的硅基纳米材料。此外，通过对强酸性滤液的分步中和处理，成功提取滤液中的金属离子，并转变为以氧化铝为主成分的铝基纳米材料。将具有高比表面积、高表面活性的硅基和铝基复合纳米材料作为载体，并结合氨基功能化处理，制备出固态胺吸附剂。本发明不仅实现了蒙脱石的高附加值整体利用，使其从低吸附性矿物，转变为高容量、高选择性的新型捕集材料，还将原本具有强腐蚀性的酸性滤液转化为环境友好的氯化钠中性溶液，践行了绿色化学与循环经济理念。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
