北京
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国家知识产权局信息显示，鸿扬半导体股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN121865663A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种半导体元件包括基材、磊晶层、阱、介电层、栅极电极层以及源极接垫。基材包括邻接的阵列区与周边区。磊晶层位于基材上方。阱位于磊晶层中。介电层位于磊晶层上方且位于阵列区与周边区上方。栅极电极层位于介电层上方且位于阵列区与周边区上方。栅极电极层具有至少一开口位于周边区上方。源极接垫位于栅极电极层上方并自阵列区上方延伸至周边区上方。源极接垫具有至少一第一延伸部位经由栅极电极层的所述至少一开口向下延伸至阱。可以降低寄生电容，进而改善开关特性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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