北京
国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“半导体晶圆及其制备方法”的专利，公开号CN121865669A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了半导体晶圆及其制备方法，该半导体晶圆包括：衬底、多晶硅层、以及设置在所述衬底与所述多晶硅层之间的复合缓冲层，其中，所述复合缓冲层包括：第一子层，用于提供预设的应力，以至少部分抵消所述多晶硅层的平均拉伸应力；以及设置在所述第一子层与所述多晶硅层之间的第二子层，所述第二子层具有高于所述第一子层的面内刚度，用于将在所述多晶硅层中产生的应力，在平行于所述第一子层和所述第二子层之间界面的平面内分散，并将经分散的应力传递至所述第一子层。通过功能解耦的复合缓冲层结构，实现对多晶硅薄膜中非均匀拉伸应力的精准调配和高效补偿，从而从根本上解决晶圆过度翘曲的问题。
天眼查资料显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司，成立于2016年，位于西安市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本403780万人民币。通过天眼查大数据分析，西安奕斯伟材料科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目13次，专利信息1549条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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