北京
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121865609A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：基底，包括有源区和限定有源区的沟槽隔离结构；字线沟槽，位于基底中，且穿过有源区和沟槽隔离结构；栅介质层，至少覆盖字线沟槽暴露的有源区；字线和位于字线上的字线盖层，其中，字线和字线盖层覆盖栅介质层且共同填充字线沟槽；其中，字线包括第一氮化钛层和第二氮化钛层，第一氮化钛层随形覆盖字线沟槽的底部和字线沟槽的侧壁的下部，第二氮化钛层至少填充第一氮化钛层限定的凹槽，第二氮化钛层中的氯残留浓度低于第一氮化钛层中的氯残留浓度。该半导体结构可以提高埋入式晶体管的阈值电压，减小字线的电阻，以及降低制造成本。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息268条，专利信息637条，此外企业还拥有行政许可39个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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