北京
国家知识产权局信息显示，上海格易电子有限公司;兆易创新科技集团股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN121865620A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供包括第一图形区域和第二图形区域的一半导体衬底，并在半导体衬底上进行浮栅多晶硅沉积形成第一多晶硅层；第一图形区域的图形密度大于第二图形区域的图形密度；对第一多晶硅层进行离子注入，并在第一多晶硅层的顶面形成氧化层；对第二图形区域的氧化层进行保护并对第一图形区域的氧化层进行刻蚀；对第一图形区域的第一多晶硅层以及第二图形区域的氧化层和第一多晶硅层进行化学机械抛光处理；基于化学机械抛光处理后的第一多晶硅层，生成半导体器件。本发明能够保证图形密度不同区域的多晶硅层的厚度一致，从而提高半导体器件的可靠性，且工艺简单方便，灵活度高，易于实施。
天眼查资料显示，上海格易电子有限公司，成立于2012年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海格易电子有限公司专利信息134条，此外企业还拥有行政许可5个。
兆易创新科技集团股份有限公司，成立于2005年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本66727.7972万人民币。通过天眼查大数据分析，兆易创新科技集团股份有限公司共对外投资了24家企业，参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息57条，专利信息1419条，此外企业还拥有行政许可8个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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