北京
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国家知识产权局信息显示，宁波大学、金雪尚呈（杭州）科技有限公司申请一项名为“一种忆阻器及其制备方法”的专利，公开号CN121843130A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种忆阻器及其制备方法；所述制备方法包括：提供表面形成有底电极的绝缘衬底；在室温条件下采用电子束蒸发在底电极上沉积氧化铝薄膜以形成阻变功能层，且沉积完成后不进行高温退火处理，使薄膜内部保留原生氧空位缺陷；随后在所述阻变功能层上通过热蒸发或电子束蒸发沉积顶电极，以获得忆阻器；所述阻变功能层为未经过退火致密化的氧化铝薄膜，其内部缺陷为金属离子迁移提供通道，从而实现可逆阻变特性。本发明的忆阻器器件结构简单，适用于常温工艺制备，可实现稳定的电阻切换行为，避免了高温退火导致的膜层过度致密化和ITO电极界面热损伤，且忆阻器具备较高的循环耐久性和非易失性数据保持能力，具有稳定的双极性阻变特性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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