日媒：中国企业目标2030年实现7nm全自主制造

现如今放眼全球，在半导体领域，美国、韩国、日本以及荷兰，一直有着绝对的市场，尤其是ASML光刻机，更是被称为“人类工业的结晶”！

相较于这些国家的半导体行业，中国确实有着劣势，不过近年来，对于该项目的研发投入，中方始终没有放弃。

根据日本《日经亚洲》披露，以中芯国际、华虹半导体为代表的中国芯片制造商，正着手大幅提升先进制程芯片的产能，并设立了一个更具里程碑意义的长远目标。

到2030年前后，建成一条完全依靠国产设备的7nm纯国产生产线。

消息传出后，全球科技圈和资本市场的目光再次聚焦到中国半导体产业身上。

从当前不足2万片的月产能，到未来一至两年内提升至10万片，再到2030年前后在此基础上增加50万片，这是中国半导体行业针对7nm及以下先进制程制定的产能扩张路线图。

目前，中国大陆唯一具备7nm级工艺芯片量产能力的企业是中芯国际。

多年来，中芯国际已在上海、深圳、北京等地的晶圆厂逐步扩大先进工艺产能，半导体行业分析机构测算，2025年先进工艺月产能有望接近5万块晶圆。

按照规划，中芯国际计划在2026年将其7nm产能翻番，这将成为当前中国大陆大规模生产的最先进工艺。

华为是目前中芯国际先进制程最大的客户，其多款麒麟系列处理器和昇腾系列AI运算芯片，均基于中芯国际的N+2或N+3工艺制造。

从麒麟9030到麒麟X90处理器，中芯国际改进版的7nm级工艺始终是这些芯片的制造基石。

不过，与台积电、三星等行业巨头相比，差距依然显著，2025年全球先进制程节点的月产能约为220万片晶圆，中国在这一领域的全球占比尚不足5%。

产能翻番之后，这一比例将有所提升，但追赶之路仍然漫长。

如果说扩产是短期可见的目标，那么“纯国产7nm生产线”则是一个更具挑战性的长远命题，实现这一目标的核心瓶颈，在于半导体设备的全面国产替代。

在光刻机领域，国产化的进展尤为关键，中芯国际已开始测试一台国产浸没式DUV光刻机。

该设备由上海一家初创企业研发，团队中包含大量前华为工程师，行业专家判断，这台国产DUV光刻机距离大规模集成电路量产部署至少还需要两年时间。

上海微电子的28nm浸没式DUV光刻机已进入量产测试阶段，核心部件国产化率超过70%，支持7nm多重曝光工艺。

中芯国际的测试数据显示，该设备良率稳定在90%以上，成本较ASML同类产品低三成。

在光刻机核心零部件方面，2025年夏天，杭州一家激光技术企业自主研发的全固态深紫外激光器通过中国计量科学研究院权威测试，其波长、输出功率等核心指标达到国际领先水平。

光刻机的“心脏”部件由此实现了国产化突破。

在刻蚀设备和薄膜沉积设备领域，国产化的进程相对更快，截至2025年底，国产半导体设备的整体采用率已达到35%，较2024年的25%有显著提升，其中刻蚀设备和薄膜沉积系统的国产替代率已突破40%。

北方华创作为国内半导体设备龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗等多个关键环节，其5nm刻蚀机已进入中芯国际验证阶段。

中微公司在高端刻蚀设备领域持续深耕，2025年上半年实现营收接近50亿元，同比增长超过四成。

中国半导体产业的自主化战略，已经上升到国家规划层面，2026年至2030年的“十五五”规划将半导体列为战略性优先发展领域。

由十多位行业高管联合提出的五年路线图中，除了2030年实现80%芯片自给率的目标外，还明确提出要完成全国产设备7nm生产线的建设和试运行，并实现14nm工艺的稳定生产。

通往2030年目标的道路上，挑战与机遇并存。

如今中国在成熟制程芯片领域已经具备较强的全球竞争力，成熟芯片产能约占全球30%，预计到2028年这一比例有望提升至42%。

不过在EUV光刻机、高端检测量测设备等环节，国产化率仍不足10%，核心技术受制于人的局面并未根本改变。

2024年中国芯片自给率约为33%，先进制程产能与国内巨大的市场需求之间存在明显缺口，技术差距仍然存在，这是业界普遍承认的现实。

从不足2万片的月产能到50万片的远景目标，从中芯国际的产能扩张到光刻机“心脏”的国产化突破，中国半导体产业正在走一条艰难但方向明确的道路。

这句朴素的话语，或许正是这个产业最真实的写照，距离2030年还有四年时间，这条完全国产的7nm生产线能否如期建成，全球半导体行业都在等待答案。