北京
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国家知识产权局信息显示，隔热半导体粘合技术公司申请一项名为“在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构”的专利，公开号CN121793819A，申请日期为2020年6月。
专利摘要显示，本公开涉及在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如，示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与其下方的直接键合管芯之间的翘曲应力。顶部管芯上的蚀刻表面可以减轻翘曲应力。示例堆叠可以包括在管芯之间的顺应层。另一堆叠配置用模制材料层代替顶部管芯以规避翘曲应力。键合表面上的腔体阵列可以减轻应力。还可以在顶部管芯的一侧或在其他管芯之间创建一个或多个应力平衡层以减轻或对抗翘曲。边缘圆角化可以防止应力和压力破坏性地传递穿过管芯和衬底层。这些措施可以一起或组合应用于单个封装中。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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