北京
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国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法”的专利，公开号CN121793740A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法，通过将弛豫层的晶格常数大小分布设置为靠近应变层一侧的晶格常数小于靠近支撑衬底一侧的晶格常数，则弛豫层在可以在激发应变的同时，与应变层之间可以形成晶格常数差异较小的异质结界面，可降低该界面产生失配错位的概率，从而可降低应变层的表面粗糙度，提升了应变层的成膜质量。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可21个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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