北京
国家知识产权局信息显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于改善粘附力及应力调控的低温氮化硅交叉沉积法”的专利，公开号CN121781117A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于改善粘附力及应力调控的低温氮化硅交叉沉积法，其属于低温氮化硅技术领域，所述交叉沉积法包括以下步骤：S1：对晶圆进行预处理从而得到基底；S2：使用射频功率为1000W‑1200W，硅氮比为2:1‑5:1的原料进行预激活层沉积；S3：使用射频功率为800W‑1000W，硅氮比为1:2‑1:5的原料进行主体层沉积；S4：重复步骤S2‑步骤S3预设次得到交叉沉积薄膜。本发明通过在低温下交替进行富硅层与富氮层的周期性沉积，实现了薄膜从界面到体相的梯度化结构调控，解决了低温SiN工艺中薄膜附着力差、应力不可控及质量不高的核心难题，为先进芯片提供了高性能介质层制备方案。
天眼查资料显示，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司，成立于2018年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本88496.9314万人民币。通过天眼查大数据分析，盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息58条，专利信息258条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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