北京
国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“光电探测器及其制造方法、气体探测方法”的专利，公开号CN121793515A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种光电探测器及其制造方法、气体探测方法，光电探测器包括：衬底，所述衬底具有相对设置的正面和背面；外延结构，形成于所述衬底的正面；带通滤光膜，形成于所述衬底的背面，所述带通滤光膜用于透过特定波长的光且反射非特定波长的光；所述带通滤光膜包括依次堆叠的第一DBR结构、缺陷层和第二DBR结构，所述第一DBR结构和所述第二DBR结构均为第一介质层和第二介质层交替堆叠的周期性结构，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率，所述第一介质层和所述第二介质层的光学厚度为所述特定波长的1/4倍，所述缺陷层的光学厚度为所述特定波长的1/2倍。本发明的技术方案使得能够大大降低系统整体功耗。
天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本270950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目846次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息145条，此外企业还拥有行政许可98个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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