北京
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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置和光检测装置”的专利，公开号CN121795114A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，根据本公开一个实施方案的半导体装置包括：第一半导体层，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且在所述第一表面上包括一个或多个第一杂质区域；第二半导体层，其层叠于所述第一半导体层的所述第一表面侧；一条或多条贯通配线，其贯穿所述第二半导体层且分别电连接到所述第一半导体层的所述一个或多个第一杂质区域；以及第一蚀刻停止膜，其在所述第一半导体层的所述第一表面附近选择性地仅被设置在所述一条或多条贯通配线的周围。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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