北京
国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN121772260A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例中的半导体器件包括半导体基底、沟道层、势垒层和栅极结构。其中，沟道层形成于半导体基底之上，势垒层形成于沟道层之上，势垒层至少具有两种厚度，栅极结构位于势垒层的第一区域的上方，第一区域的势垒层的厚度大于剩余区域的势垒层的厚度。由此，通过将势垒层设置为至少具有两种厚度，并将栅极结构设置在厚度最大的第一区域的势垒层上方，本发明实施例可以实现对电场强度的局部调控，从而增强栅极结构在角落电场集中处的控制能力和电性稳定性，进而提高半导体器件的良率和可靠性。
天眼查资料显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司，成立于2008年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6852万美元。通过天眼查大数据分析，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息864条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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