北京
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国家知识产权局信息显示，重庆邮电大学;重庆万泰电力科技有限公司申请一项名为“基于混合键合与应力缓冲层的三维异质集成界面结构及制造方法”的专利，公开号CN121772775A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种基于混合键合与应力缓冲层的三维异质集成界面结构，属于半导体封装技术领域。该界面结构从上至下依次包括铜‑铜键合层、聚合物微凸点阵列、碳纳米管垂直互连束、粘结界面层、应力自适应缓冲层、拓扑优化电源网格和基板，在拓扑优化电源网格中设置有嵌入式同轴互连结构、石墨烯电磁隔离墙。其中，应力自适应缓冲层通过在粘结界面层表面制作聚合物微晶格，将负热膨胀陶瓷颗粒与环氧树脂混合物填充至微晶格中，再嵌入形状记忆合金微弹簧形成。芯片通过铜‑铜键合层与该界面结构实现键合。本发明具有互连密度高、机械可靠性好、信号完整性优的优点，能实现高性能三维异质集成。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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