三星西安工厂工艺升级，SK海力士提升两大工厂产能，韩国芯片巨头加大在华投资

来源：环球时报

【环球时报驻韩国特约记者 黎枳银 环球时报记者 李迅典】 “韩国芯片巨头加大在华投资，以应对人工智能领域内存短缺问题。”《韩国时报》3月30日以此为题报道称，最新报告数据显示，韩国两大芯片巨头三星电子与SK 海力士在2025年继续加大中国工厂的投资力度。这一动态战略布局，既是对全球内存芯片市场供不应求现状的直接响应，也凸显了中国在全球半导体供应链体系中的关键地位。

去年在华投资额猛增

从投资数据来看，两家企业2025年在华投入呈现显著增长。据《韩国时报》援引两家公司提交给韩国金融监督院的年度报告，2025年三星电子在陕西西安芯片工厂投资4654亿韩元（约合 3.04亿美元），同比增长67.5%；SK海力士在江苏无锡工厂投资5811亿韩元，同比增长102%，在辽宁大连工厂投资4406亿韩元，较2024年增长52%。报道称，在AI计算需求持续高涨、内存芯片供应趋紧的情况下，韩国企业正加快提升产能。

从投资节奏来看，这一轮加码具有明显的恢复性扩张特征。据韩国《全球经济》报道，三星曾在2019年向西安工厂投资6984亿韩元，但在2020年至2023年行业周期低谷期一度暂停新增投资，直到2024年恢复投入2778亿韩元，2025年进一步增至4654亿韩元。SK海力士也遵循相似节奏。《韩国时报》称，SK海力士2023年未对无锡和大连两座工厂进行投资，近两年迅速重启并加大支出。随着AI需求爆发，中国工厂再次成为两家韩企恢复产能与保障供货的重要支点。

中国生产基地的重要性，也体现在其在全球产能体系中的分量上。《韩国时报》指出，三星西安工厂是其唯一海外内存芯片生产基地，承担约40%的NAND闪存产量。SK海力士无锡工厂贡献其30%以上的DRAM（动态随机存取存储器）产量，大连工厂则是其重要的NAND生产据点之一。在全球供给趋紧的情况下，这些中国工厂的运行效率直接关系到两家公司整体出货能力。

背后是多重现实因素

韩企选择加码中国生产基地，是时间成本、市场权重与供需缺口等多重现实因素共同作用的结果。香港《南华早报》援引韩国世宗研究所访问研究员、曾在三星电子中国子公司工作15年的李炳哲的分析表示，新建一座先进晶圆厂通常需要3至5年的漫长周期，优化中国现有生产基地的运营情况可以大大加快供应。

标普全球评级公司董事朴俊洪则表示，中国在全球个人电脑和智能手机芯片市场中占据较大份额，可以说是三星电子和SK海力士两家企业的重要终端市场。这意味着，中国既是关键的生产基地，也是重要消费市场。

与此同时，全球内存芯片短缺进一步强化了企业扩产的紧迫性。据报道，三星、SK海力士与美光科技三家企业主导全球内存芯片供应格局。近年来，三家公司纷纷将产能向高带宽内存（HBM）倾斜，以满足英伟达等企业AI加速器的强劲需求，一些传统存储芯片产出出现明显缺口。

美国卡内基梅隆大学战略与技术研究所的研究员特洛伊·斯坦加罗内表示，目前DRAM和NAND产品几乎已被市场预订一空。

高盛将2026年DRAM供应短缺率的预估上调至4.9%，高于此前的3.3%。该公司还表示，预计市场将出现15年来最严重的供应短缺。同时，其对NAND闪存供应短缺率的预测也从2.5%上调至4.2%。《首尔经济新闻》进一步分析说，对于全球日益扩大的内存芯片供应缺口，仅依赖韩国本土的产能难以满足当前需求。

中国产业链配套能力支撑快速扩产

天津外国语大学国别和区域研究院院长郑继永在接受《环球时报》记者采访时表示，韩国企业持续加码在华存储芯片投资，从经贸层面来看，中国长期是韩国最大贸易伙伴，半导体作为韩国支柱产业，离不开庞大的中国市场，即便韩国学界与产业界对中国半导体产业的追赶存在忧虑，叠加美国相关限制，韩国方面也清晰认识到中韩经济合作的必要性。

郑继永进一步表示，在产业需求层面，人工智能领域对存储芯片的需求呈现爆发式增长，倒逼内存芯片企业加快提升供应速度，而中国完善的基础设施与产业链配套能力，能够支撑企业快速实现扩产。

在此背景下，三星电子和SK海力士都表示将通过强化中国生产基地、提升既有产线效率来扩大供给。据《首尔经济新闻》报道，三星正推进将西安工厂主力工艺进一步升级，以满足人工智能服务器和数据中心对高容量存储的需求。3月30日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。

SK海力士已向无锡和大连工厂投入超过1万亿韩元，用于升级DRAM和NAND生产工艺。

在政策支持与市场需求下，两家韩企高层连续两年出席中国发展高层论坛，释放出强烈的长期稳定信号。三星电子会长李在镕日前访华时明确表示，“中国是三星全球战略的重要组成部分”，预示深耕中国市场仍将是韩企的长期基本盘。