铠侠，退出2D NAND市场

浮栅式与BiCS FLASH第3代产品即将于2028年停产。

继先前公告停产薄型小尺寸封装（TSOP）后，铠侠电子（中国）在今日再度向客户发布停产通知，表示浮栅式（Floating Gate）与BiCS FLASH第3代产品即将于2028年停产。

根据铠侠公告，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日，这意味着2029年时，铠侠已正式退出2D NAND市场。

铠侠于三月初公告，基于相关基板停产、市场需求及生产限制等因素，铠侠将停止供应TSOP封装产品。而TSOP封装主要用于低容量LCNAND内存。铠侠当时表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年5月30日，最后采购订单截止日为2026年9月15日，最后出货时间为2027年3月15日。

近年NAND Flash技术快速演进，由于无尘室空间有限，相较主流TLC与QLC架构，MLC的单位产值最低，不符合NAND原厂追求规模经济与资本效率的策略，因此原厂正积极集中资源于TLC、QLC与DRAM，并逐步将LCLC产品停产（EOL），而如今则连2D NAND产品也将停产。

三星电子2D NAND闪存停产

今年2月，有报道称三星电子将终止华城厂区内12号线的2D NAND Flash生产，转而改造为生产瓶颈严重的1c DRAM后端制程生产线。业界消息表示，三星电子最快将于3月中旬停止该产线运行，之后将转换为DRAM布线等生产线。华城12号线月产能，以12英寸晶圆为基准，约为8万～10万片规模。

据悉，三星电子从去年开始已向客户告知停产方针。这意味着三星电子的2D NAND时代正式落幕。三星电子2002年在全球率先量产1Gb级NAND闪存，登顶闪存市场首位。此后在2013年成功量产3D V-NAND，推动业界技术范式转向垂直堆叠结构。自3D NAND首次量产后约13年，2D NAND最后一座生产据点正式关闭。

三星电子在上年第四季度业绩说明会电话会议上也曾提及“包括平面NAND停产在内，将老旧工艺转向先进工艺”。2D NAND曾部分用于U盘等低价存储设备，但随着向3D NAND转换完成，需求大幅下滑，主要NAND厂商均已完成3D转型。韩国国内减少的NAND产能预计将由中国西安工厂承接。三星电子正在推进将西安工厂3D NAND工艺升级至先进世代。

12号线将改造为DRAM后端制程产线。后端制程（End Fab）是在前道工序中负责金属布线与最终收尾等后半段工艺的设施。12号线将分担华城厂区内其他DRAM产线的产能，有望提升整体生产效率。

本次措施是三星电子扩大DRAM产能战略的一环。三星电子正在平泽与华城厂区同步扩大1c DRAM投资。平泽P4产线原本设计为可同时生产DRAM、NAND、代工的混合型晶圆厂，但近期已将投资重心转向DRAM。现有华城产线也在推进将旧世代DRAM工艺升级为1c工艺的投资，再加上本次12号线改造为后端制程。业界认为，待相关投资完成后，1c DRAM在三星电子整体DRAM产能中将占据相当高的比重。

2026年MLC NAND Flash产能将年减41.7%

TrendForce此前表示，随着国际主要NAND Flash制造商退出或减少MLC NAND Flash生产，并集中资本支出与研发资源在先进制程，预估2026年全球MLC NAND Flash产能将年减41.7%，供需失衡情况加剧。

由于供给急缩且短期未有具规模、可快速承接的产能，2025年第一季底开始，MLC NAND Flash市场出现明显追货、提前锁量现象，价格显著上涨。

TrendForce表示，MLC NAND Flash的终端需求持稳，主要来自工控、车用电子、医疗设备和网通等，皆对产品可靠度、写入寿命、长期供货承诺要求较严格。然而，以上需求的长期成长幅度有限，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转，MLC产品价格仍可能间接承压。

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