北京
国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“晶体管及其制备方法与应用”的专利，公开号CN121772300A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶体管，该晶体管包括沟道层、势垒层、离子注入区、钝化层和欧姆电极。势垒层设置在沟道层上；离子注入区的第一区自势垒层的上表面向沟道层延伸并延伸至沟道层，第一区具有凹槽；第二区位于沟道层内并连通第一区；钝化层设置在势垒层上并具有开口；欧姆电极设置在钝化层上并通过开口和凹槽连接第一区；其中，第一区的峰值离子浓度大于第二区的峰值离子浓度。借此设置，该晶体管能够在减薄沟道层的情况下，避免晶体受损，降低位错缺陷，从而提升晶体管的性能。
天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目88次，专利信息360条，此外企业还拥有行政许可105个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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