北京
国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121772279A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：沟槽，沿第一表面延伸至外延层内部，第一表面为外延层背离衬底的一侧表面；源区，位于沟槽两侧外延层中，源区为对部分第一表面进行离子注入形成的区域；栅极，位于沟槽内，栅极包括沿第一方向分布的第一部分和第二部分，在沿第二方向上，第一部分的最大宽度小于第二部分的最大宽度，栅极的底部为朝向衬底突出的弧面，第一方向为沟槽背离衬底的方向，第二方向垂直于沟槽的延伸方向。本申请解决了相关技术中半导体器件因电场集中导致的栅氧化层可靠性较低以及电场分布不均匀的问题。
天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息254条，此外企业还拥有行政许可108个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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