北京
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国家知识产权局信息显示，三星显示有限公司;延世大学校产学协力团申请一项名为“晶体管和晶体管的制造方法”的专利，公开号CN121772289A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，提供了晶体管和晶体管的制造方法。晶体管包括：栅电极；半导体层，该半导体层定位在栅电极上；栅极绝缘层，该栅极绝缘层定位在栅电极与半导体层之间；电极层，该电极层包括在半导体层上彼此间隔开的源电极和漏电极；以及中间层，该中间层定位在半导体层与电极层之间，并且包括分别与源电极和漏电极重叠的层间图案。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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