北京
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“在没有贯穿衬底过孔的中介层上的分离的半导体芯片”的专利，公开号CN121752079A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本文公开了具有中介层的器件和系统及其形成方法，所述中介层不包括贯穿衬底过孔。在一个示例中，微电子组件包括中介层以及耦合到所述中介层的一个或多个集成电路(IC)管芯。所述中介层包括一个或多个导电迹线以及一个或多个过孔，但是所述中介层不包括贯穿衬底过孔。相应的IC管芯经由所述中介层与相应的IC管芯之间的界面处的电介质至电介质键合和金属至金属键合电耦合到所述中介层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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