北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件图形的光学邻近效应修正方法”的专利，公开号CN121742113A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件图形的光学邻近效应修正方法，包括以下步骤：S1.获取芯片图形的设计版图并进行OPC修正，得到第一修正版图；S2.从所述设计版图中识别出目标图形；所述目标图形包括至少一个凹槽，所述凹槽具有两个270度拐角及连接两个拐角的直线线段，所述直线线段的宽度s满足2a≤s<3a，其中，a为OPC修正的最小分段长度；S3.对所述目标图形执行差异化OPC修正策略：在所述第一修正版图中，对所述直线线段不进行分段，对所述目标图形的其余边按照原预设分段规则进行分段，进行第二次OPC修正。通过筛选宽度s∈[2a,3a)、双内凹270°拐角的目标凹槽，对其合并为单段并重新计算修正量，优化特定凹槽的OPC间距，显著改善MRC问题，保障光刻工艺稳定与器件成品率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息270条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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