北京
国家知识产权局信息显示，上海鼎阳通半导体科技有限公司申请一项名为“JFET器件”的专利，公开号CN121728806A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种JFET器件，包括：在第一半导体材料组成的第一外延层中形成有栅极沟槽。JFET栅极区由形成于栅极沟槽内侧表面处的离子注入区组成。由JFET栅极区之间的第一外延层组成JFET沟道区。在JFET沟道区的表面区域中形成JFET源区。在栅极沟槽中形成有第一栅极引出层和第二半导体材料层。第一半导体材料比第二半导体材料层的材料的禁带宽度大。第一栅极引出层的底部表面和JFET栅极区欧姆接触。在第二半导体材料层上形成有第一MOSFET，第一MOSFET的第一源漏区和第一栅极引出层相接触。第一栅极引出层连接到第一JFET栅极。第二源漏区连接到第二JFET栅极。第一MOSFET的第一栅极结构连接到双栅控制电极。本发明能具有两个独立控制的栅极。
天眼查资料显示，上海鼎阳通半导体科技有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，上海鼎阳通半导体科技有限公司专利信息40条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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