上海
据韩联社报道，三星电子3月18日与美国超威半导体公司（AMD）在三星平泽工厂签署一份旨在扩大在下一代人工智能（AI）内存芯片及计算技术领域合作的谅解备忘录（MOU）。根据协议，三星被指定为超威半导体AI加速器所搭载的第六代高带宽内存（HBM4）的优先供应商。
三星电子设备解决方案（DS）部门负责人全永铉与超威半导体董事会主席兼首席执行官苏姿丰共同出席签约仪式。根据协议，三星电子的HBM4将应用于超威半导体的最新一代AI芯片“Instinct MI455X”图像处理单元（GPU）上。
继今年2月在业界率先实现HBM4的量产后，三星电子确认将为超威半导体提供该款产品，预计这将进一步提升三星电子在高带宽内存市场的占有率。三星的HBM4采用业界首个第六代10纳米级DRAM技术（1c工艺），并结合4纳米逻辑工艺打造基底裸片（Base Die），其最高性能可达13吉比特每秒（Gbps），单堆栈内存带宽最高可达每秒3.3太字节（TB/s）。
此外，双方还计划在高性能DDR5存储器解决方案方面展开技术合作，推动超威半导体AI机架级基础设施平台“Helios”以及下一代数据中心服务器GPU性能的最大化。同时，双方还探讨三星电子为AMD下一代芯片提供代工制造服务。
三星电子与超威半导体在多个半导体技术领域保持着近20年的合作关系。自2007年三星电子专为GPU设计的GDDR显存首次搭载于超威半导体的显卡上开始，双方的合作逐步扩展至图像存储器、移动处理器、数据中心存储器等领域。特别是在HBM领域，三星电子作为超威半导体的核心供应商，始终保持着长期稳定的合作关系。去年，三星电子将12层HBM3E内存搭载于超威半导体最新的AI加速器“MI350X”和“MI355X”上。
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