北京
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国家知识产权局信息显示，上海核工程研究设计院股份有限公司;厦门大学申请一项名为“用于辐照后显微表征的含富硅颗粒的铝合金样品制备方法”的专利，公开号CN121678319A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供了一种用于辐照后显微表征的含富硅颗粒的铝合金样品制备方法，该制备方法包括依次对含富硅颗粒的铝合金待处理样品进行机械抛光、电化学抛光和离子束抛光，得到抛光处理后的样品；在每相邻两次抛光之间对待处理样品进行清洗处理；以及检测抛光处理后的样品用于辐照的区域的表面粗糙度是否达到预设表面粗糙度，若未达到预设表面粗糙度，则至少重复离子束抛光，并再次检测表面粗糙度是否达到预设表面粗糙度，直至表面粗糙度达到预设表面粗糙度，以获得目标样品。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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