北京
分享至
国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法”的专利，公开号CN121693115A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。通过光刻制作工艺在基底上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层包括第一开口与第二开口。第一开口包括第一倾斜侧壁。使用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对基底进行蚀刻制作工艺，而在基底中形成对应于第一开口的第三开口与对应于第二开口的第四开口。第三开口包括第二倾斜侧壁。在基底上形成导电层。导电层填入第三开口与第四开口。利用位于第三开口中的导电层作为终止层，移除部分导电层，而在第三开口中形成标记且在第四开口中形成基底穿孔。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
