北京
国家知识产权局信息显示，宁波芯健半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质”的专利，公开号CN121620186A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及一种晶圆衬底的高铜柱加工方法、系统、终端及存储介质，涉及芯片加工领域，其方法包括：在晶圆上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层的铜柱位置形成第一开口；通过电镀工艺，在第一开口内形成第一层铜柱；去除第一光刻胶层；在晶圆上形成塑封层，使塑封层覆盖第一层铜柱；对塑封层进行研磨处理，以露出第一层铜柱；在塑封层上涂覆第二光刻胶层；在第二光刻胶层的铜柱位置形成第二开口，第二开口露出第一层铜柱；通过电镀工艺，在第二开口内形成第二层铜柱，使第一层铜柱和第二层铜柱结合为高铜柱；去除第二光刻胶层；研磨去除晶圆；在第二层铜柱表面形成保护层。本申请具有减小铜柱的倾斜角度的效果。
天眼查资料显示，宁波芯健半导体有限公司，成立于2013年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20528.4838万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波芯健半导体有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息126条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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