北京
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国家知识产权局信息显示，盖列斯特有限公司申请一项名为“在图案化基材上含硅电介质的固有区域选择性沉积”的专利，公开号CN121620606A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明公开了在各种基材上形成含硅薄膜的固有选择性工艺，其涉及使用含有至少一个氧原子和至少一个硅氮键的前体以及非氧化等离子体。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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