北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构、形成方法、半导体器件及存储系统”的专利，公开号CN121604413A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构、形成半导体结构的方法、半导体器件及存储系统，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：包括沿第一方向交替堆叠的导电层和第一介质层的第一堆叠结构；包括沿第一方向交替堆叠的第二介质层和第一介质层的第二堆叠结构；沿第一方向设于第一堆叠结构和第二堆叠结构之间并沿垂直于第一方向的第二方向延伸的阻隔结构；至少两排接触结构，接触结构沿第一方向至少部分贯穿第二堆叠结构，至少两排接触结构沿第二方向排布；沿第三方向贯穿阻隔结构的连接结构，连接结构连接接触结构与第一堆叠结构中对应的导电层，第三方向垂直于第一方向并垂直于第二方向。该半导体结构减少了第二堆叠结构用于设置接触结构的区域的面积。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1430次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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