北京
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“用于Ni前侧SiC欧姆接触的制造方法”的专利，公开号CN121604487A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本描述涉及一种制造碳化硅晶片的方法，该方法包括：形成在表面或其表面的至少特定部分处包括SiC的半导体衬底；通过氢等离子体气氛清洁衬底的表面区域；在清洁的表面区域上施加镍金属接触材料，以在SiC衬底的表面或SiC衬底的至少部分处形成SiC/Ni金属堆叠；以及对SiC/Ni金属堆叠进行退火以在SiC和镍金属之间的界面处形成欧姆接触。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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