北京
国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“存储器及其制造方法、电子设备”的专利，公开号CN121604395A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括第一半导体结构，第一半导体结构包括有源柱行、字线、数据存储单元、第一接触插塞。有源柱行包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个有源柱，该多个有源柱包括位于第一区域中的第一有源柱和位于第二区域中的第二有源柱，第二区域位于第一区域在第二方向上的至少一侧，第二方向垂直于第一方向；字线在第一区域和第二区域中沿第二方向延伸，且与有源柱行中的多个有源柱耦合；数据存储单元位于第一有源柱在第一方向上的第一侧且与第一有源柱耦接；第一接触插塞位于第二区域中且与字线耦接，第一接触插塞沿第一方向的正投影与第二有源柱沿第一方向的正投影交叠。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，财产线索方面有商标信息236条，专利信息659条，此外企业还拥有行政许可34个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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