北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“SONOS存储器制造方法”的专利，公开号CN121604418A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SONOS存储器制造方法，先在栅介质层表面沉积多晶硅层，光刻刻蚀形成两两间隔的选择管栅极多晶硅及存储管栅极多晶硅，再通过光刻只打开在左右相邻选择管栅极多晶硅之间区域，然后在离子注入时，离子注入区域就会限定在左右相邻选择管栅极多晶硅之间，在选择管栅极多晶硅与存储管栅极多晶硅之间不会存在多余的选择管阈值电压离子注入区，能避免引起选择管阈值电压改变以及漏电，有效改善GIDL漏电问题，提高器件性能及可靠性。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2753条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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