北京
国家知识产权局信息显示，重庆缙源纳米科技有限公司取得一项名为“一种团簇离子喷嘴”的专利，授权公告号CN223967185U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种团簇离子喷嘴，包括喷嘴外壳、气体输入通道、团簇离子生成腔和喷嘴头部，所述喷嘴外壳内部的顶端设置有气体输入通道，且所述气体输入通道下方的喷嘴外壳内设置有团簇离子生成腔，所述团簇离子生成腔内部的中央位置处设置有分流板，且所述分流板上均匀分布有分流孔，所述分流孔下方的团簇离子生成腔内均设置有分流管道，且所述分流管道上均设置有节流阀，所述喷嘴外壳的底端设置有喷嘴头部。本实用新型通过安装有喷嘴外壳、气体输入通道、团簇离子生成腔、分流板、分流管道、节流阀以及喷嘴头部，通过调节团簇离子束的喷射方向、流量和能量分布，可以使得工件表面每个区域都受到均匀的离子束作用，提高抛光的均匀性。
天眼查资料显示，重庆缙源纳米科技有限公司，成立于2024年，位于重庆市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1390万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆缙源纳米科技有限公司专利信息1条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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