北京
国家知识产权局信息显示，苏州纳维科技有限公司申请一项名为“一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用”的专利，公开号CN121586349A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请涉及光电器件设计与制造技术领域，具体涉及一种基于GaN同质衬底的Micro‑LED器件及其设计方法、应用。包括GaN同质衬底和驱动基板；GaN同质衬底包括圆台结构，圆台结构的小端面处设置有有源发光结构，圆台结构的侧壁与其大端面之间的夹角限定为80°–87°，利用侧壁全反射效应实现对光束的准直调控；GaN同质衬底和有源发光结构上均设置有电极，GaN同质衬底通过电极倒装连接在驱动基板上。通过优化圆台结构的侧壁倾斜角度及高度，使有源发光结构发出的光束在该圆台结构内发生多次全反射，显著降低其出射光束的发散角，达到大幅提升该器件出光准直性的效果。
天眼查资料显示，苏州纳维科技有限公司，成立于2007年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6045.1971万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州纳维科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目61次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息135条，此外企业还拥有行政许可29个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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