北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“分栅存储器阵列的操作方法”的专利，公开号CN121583304A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种分栅存储器阵列的操作方法，该方法应用于由选择管和两侧存储管构成的镜像式存储单元阵列。其核心在于：擦除操作通过栅极载流子隧穿实现，在存储管栅极施加正电压，使栅极空穴注入电荷存储层；写入操作通过沟道热载流子注入(HCI)实现，弱开启选择管以产生nA级漏电，在漏端形成热电子注入。在整个操作过程中，阱区保持接地，无需深N阱(DNW)工艺。本发明还针对独立源极线(DSL)、共享源极线(SSL)和共用源极线(CSL)三种架构，提供了精细化的写入抑制偏置方案，以避免非选中单元的扰动。该方法兼具高速写入、超低功耗和工艺简化等优点，提高了存储阵列的操作可靠性。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目929次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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