北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“单大马士革工艺方法”的专利，公开号CN121586463A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种单大马士革工艺方法，包括：提供形成有层间膜的底部结构，层间膜的表面形成有将沟槽的形成区域打开的金属硬质掩膜层。以金属硬质掩膜层为掩膜对层间膜进行第一次刻蚀，第一次刻蚀停止在层间膜中以形成顶部子沟槽。去除金属硬质掩膜层。对层间膜进行第二次刻蚀，第二次刻蚀停止在层间膜底部的底部结构的表面上；第二次刻蚀使顶部子沟槽底部的层间膜刻穿并形成沟槽，沟槽外的层间膜也同时被消耗以使沟槽的深宽比降低并从而防止沟槽之间的层间膜形成的图形产生扭曲。本发明能在不改变膜层结构的情况下，降低大马士革的沟槽的深宽比，防止沟槽之间的层间膜图形产生扭曲并避免在沟槽中填充金属时发生图形倒塌。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2720条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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