【简讯】魅族手机或在3月正式退市；AMD发布EPYC 8005系列…

魅族手机或在3月正式退市

据国内媒体报道称，魅族手机可能将成为历史。多位知情人士表示，魅族手机业务已经实质性停摆，将于2026年3月正式退市。报道中提到，魅族旗下FlymeAuto车机业务将独立运营，魅族品牌或将继续保留在吉利体系内。

据悉，星纪魅族的飞书大群目前还剩1000多人，但有不少员工已提出离职，少量员工已转岗至吉利体系内的极氪汽车。

今年1月份时，星纪魅族集团中国区CMO万志强曾透露，魅族23仍将在2026年发布，不过从现在看，该项目已经不再实质性推进。

有接近魅族的人士透露，从去年4月开始，魅族已经有很多供应商的款项无法正常结算，至今仍有大量欠款已成为坏账，“魅族的结局大概率是申请破产。”

目前，魅族官方商城显示，旗下手机产品已全部处于“补货中”或“售罄”状态，包括魅族21、魅族21 PRO、魅族22、魅族Note 16 Pro等在内，均无法直接购买。

AMD发布EPYC 8005系列

日前，AMD低调地发布了新一代EPYC 8005系列处理器，代号“Sorano”。它是Seina EPYC 8004系列的继任者，依然定位于零售、制造、电信等智能边缘应用，以及云服务、存储等数据中心应用。

技术规格细节公布的很少，甚至是SKU型号都还没公开。目前只知道架构从Zen4c升级到Zen5c，最多84个核心(增加20个但也有可能仍为64个)，最高热设计功耗225W(不变)。

按照官方说法，EPYC 8005系列的主要优势有：

宽温工作范围，满足各类严苛环境需求。

支持符合NEBS标准的平台，适用于恶劣环境及户外通信部署。

单路高核心数，可实现更小的设备尺寸。

新品将在未来几周内上市。

三星将关闭最后的2D NAND产线

三星自2013年开始生产3D V-NAND，然后逐渐把传统的2D NAND产线转向3D堆叠产线，13年后，三星最后一条2D NAND产线要关闭了，这条产线将转向生产第六代10nm级的1c DRAM，而这也是三星HBM4的基础。

根据韩国媒体thelec的消息，三星最早会在3月停止华城12号生产线的运营，目前该产线月产能约8至10万片12英寸晶圆，停产后者条产线将改造为DRAM后处理车间，将负责前端工艺流程中的后续处理，例如金属布线和表面处理，升级后它将分担华城工厂其他DRAM生产线的工作量，从而提高整体生产效率。

去年，三星电子在第四季度的财报上提到了要从传统工艺向先进工艺过度，包括停止生产传统2D NAND，目前2D NAND会被用在一些低成本的存储设备上，例如U盘，但自从3D NAND普及后，2D NAND的需求已经大幅下降，主要NAND厂商均已完成向3D NAND闪存的过渡。

在华城的12号产线升级完成后，三星的华城工厂将会全力生产DRAM闪存，平泽工厂则继续是DRAM、NAND生产会用，原本的平泽P4产线原本是DRAM、NAND、Foundry生产混用的，但最新的计划则是倾向生产1c DRAM，西安工厂则继续负责NAND生产，但会推进产线工艺转换。三星预计，下半年1c DRAM的总晶圆产能将达到每月约20万片。

SK海力士宣布与闪迪携手

2026年2月25日，SK海力士联合闪迪举办了“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。SK海力士表示，将与闪迪携手，共同推动HBF成为行业通用标准，为整个AI生态系统协同发展奠定基础，目前已依托OCP1框架，设立专项工作组（Workstream），正式启动HBF的标准化制定工作。双方将充分发挥各自在HBM与NAND闪存领域长期积累的设计能力、封装技术及大规模量产经验，率先推动HBF的标准化与产品化进程。

HBF作为介于HBM和固态硬盘之间的新型存储阶层，旨在弥合HBM高性能与固态硬盘大容量特性之间的差距，并满足AI推理场景对容量扩展性与能效的双重需求。在传统架构中，HBM负责提供最高带宽，而HBF则负责与其深度协同。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO），预计以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案将于2030年前后迎来全面市场扩张。

近期AI产业正加速由大型语言模型（LLM）的训练阶段，迈向以实际服务应用为导向的推理阶段。在AI推理市场，竞争优势不仅取决于单芯片性能，更取决于CPU、GPU、内存与存储之间的系统级协同优化能力。在SK海力士看来，能同时提供HBM与HBF综合性存储器解决方案的存储器厂商，在未来半导体行业中的战略地位将变得愈发重要。

2026年手机市场将全面普涨

据国内媒体报道称，2026年中国手机行业将正式迎来全面涨价潮，这也是国内手机市场发展以来首次出现全品类、全品牌同步普涨的态势。报道中提到，供应链人士、行业分析机构及多家手机品牌内部人士表示，3月起，手机涨价将进入加速阶段，新品涨幅最低可达1000元以上。

此外，OPPO、一加、vivo、iQOO、小米、荣耀等主流品牌或将陆续上调老款机型售价，叠加内存成本的频繁波动，2026年中国手机市场或将面临历史上首次一年内多次上调价格的局面。

相关人士表示，这轮涨价不是个别品牌的选择，而是全行业的必然趋势。”目前国内主流手机品牌均已完成涨价方案的敲定，部分品牌已向线下经销商、线上渠道商下发了调价通知。

此前调研机构Counterpoint Research发布的最新报告中指出，2026年全球智能手机均价将同比上涨6.9%，其中中国市场涨幅将显著高于全球平均水平，核心原因是上游供应链成本的持续飙升，尤其是内存芯片价格的暴涨的影响，预计3月后中国市场新品手机均价将较2025年同档位机型上涨15%-25%。

另据IDC数据显示，2026年中国手机市场旗舰机涨幅将突破30%，同配置机型比2025年贵300-1000元，大存储版本甚至贵2000元，而3月后发布的新品，涨幅将在此基础上进一步扩大。

英伟达已交付首批Vera Rubin样品

日前，英伟达公布了2026财年第四财季（截至2026年1月25日）财报，显示收入达到了681.27亿美元，同比增长73%，环比增长20%，2027财年第一财季预计进一步攀升至780亿美元，可谓形势一片大好。英伟达上个月初在CES 2026上，正式发布了新一代Vera Rubin平台，确认“已经全面投产”，开启新的AI之旅。

据TomsHardware报道，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在季度财报电话会议上宣布，本周已经向客户发送了Vera Rubin样品，一旦合作伙伴通过资格认证并验证新平台，就会着手准备部署，预计相关工作将在2026年下半年或2027年初进行。这意味着Vera Rubin的最终规格已经确定，暂时还不清楚HBM4的速率是否有像之前传言那样有所更改。

Vera Rubin平台由六款全新芯片组成，包括Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交换机、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU和Spectrum-6以太网络交换机，通过极致的协同设计，打造性能惊人的AI超级计算机，大幅缩短AI训练时间并降低推理Token生成成本。

传闻考虑到SK海力士和三星的产能和良品率问题，确保采购足够数量的HBM4用于Vera Rubin平台，英伟达可能放宽HBM4规格要求。除了11.7Gbps外，英伟达还将采购速率降一档的10.6Gbps产品，以降低存储器制造商的生产难度，从而确保HBM4的稳定供应。

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