12英寸碳化硅突破：中国半导体，相继打破国外几十年垄断？

半导体突破：国产12英寸碳化硅相继打破国外垄断。

国产12英寸碳化硅再次迎来突破，又打破一项国外几十年的垄断，未来国产电动车可能还要更便宜了，电动车的续航和充电速度也将被重新定义。

2月22号合肥露笑半导体公司成功制备出12英寸(300mm)半绝缘型碳化硅单晶样品，并完成了从长晶到衬底的全流程工艺开发。这是继天岳先进2024年11月全球首发12英寸全系列产品之后，第二家企业成功制备12英寸半绝缘型样品。

两家企业在不同的技术路线上形成"破局者+跟进者"的接力格局，彻底撕开了西方的技术封锁。这也意味着中国在大尺寸碳化硅领域已经从单点破局走向集群突破。像天岳、露笑等国内半导体企业相携手共同加速国产替代的进程。

说到这可能很多朋友会有疑问："我们不是早就有12英寸硅片了吗？这有啥好激动的？"实际此硅片非彼硅片，12英寸碳化硅尤其是半绝缘型对我国新能源和军工等高端产业很重要。但有这个疑问也很正常，很多刚开始关注半导体的朋友都容易把12英寸硅片、12英寸碳化硅搞混了，觉得都是"12英寸的硅"，差别能有多大？

简单说，平时CPU、GPU、手机芯片等这些生产用的是12英寸硅片，它是单晶硅(Si)，技术成熟成本低，多用于普通芯片，主打通用领域。而12英寸碳化硅是专攻新能源、航空航天、军工等这些高频高压高端领域的，价格更是天差地别。

像12英寸的硅片这一片也就100-200美元，而这个碳化硅目前主流的6英寸碳化硅衬底P级也就是高端的这一片大概也要1000美元。12英寸的因为难造，价格更是天价。说白了别白说，虽然它们都是12英寸的，但压根不是一个量级的东西，两者的差距相当于自行车和战斗机。碳化硅作为第三代半导体材料，它的大尺寸衬底，例如像8英寸和12英寸，这些是实现规模化应用和成本优化的关键。

但也正因为制造难度极高，在天岳先进首发12英寸碳化硅衬底之前，相关技术长期被美国Wolfspeed、德国英飞凌、日本罗姆等少数企业垄断着，他们占据95%以上的高端产能，还对我国实施严格的技术和产品封锁。

像12英寸碳化硅衬底完全不卖给我国企业，哪怕是6英寸的高端款也经常限量供应，甚至直接拒绝。还有长晶的核心参数、加工的关键工艺、核心设备的制造技术等等这些，更是严防死守，想模仿都没地方下手。

当然这也正常，搁谁都得保密，但是漫天要价就很过分了。偶尔能买到的低端6英寸产品，价格也被他们炒到天价，还附加"禁止用于军工、航空航天"等苛刻条件，相当于赚着我们的钱，还卡着高端产业的脖子。

最直接的影响就是新能源汽车、光伏、军工等领域，全球碳化硅功率器件最大的市场就是新能源汽车，其中绝大部分用于电动车逆变器。但过去国内的车企只能高价进口衬底，既增加造车成本，又随时面临断供风险。像光伏、军工等领域也因碳化硅"卡脖子"，搞得是很难受。

所以实现12英寸碳化硅全系列覆盖的突破，而且都是自主研发自主可控，至少有三个好处。

·首先就是新能源汽车会更便宜、续航更长。碳化硅逆变器是电动车的"心脏"，用碳化硅做的逆变器能降低能量损耗，同时提升续航。例如像800V电压平台就需要耐高压、高效率的功率器件，这就需要碳化硅了。

·更关键的是像12英寸的碳化硅单片的产出量是6英寸的4倍，一旦实现规模化量产，单位成本能大幅度降低，这可能直接带动电动车造车成本的下降。电动车的价格也就会随之更便宜了。

另外像光伏、储能、特高压输电等领域对碳化硅的需求正爆发式增长，碳化硅能大幅提升光伏转换效率、储能充放电效率。目前国内光伏总装机已突破12亿千瓦，2025年新增装机同比增长35%。能自主掌握12英寸碳化硅衬底的制备必然会推动光伏、储能等新能源产业再次升级。

当然我认为最重要的那还是国防安全，碳化硅是雷达、导弹、卫星等军工装备的核心材料。过去因为国外技术封锁，我国部分军工装备在这方面是存在一定的短板的。而12英寸碳化硅的突破就能让我国军工电子器件彻底摆脱进口依赖，这就是12英寸碳化硅衬底自主可控的重要性。

但这不是终点，它只是中国半导体超车的起点。中国半导体在硅基也就是第一代半导体领域起步晚，处于跟跑状态。但在碳化硅也就是第三代半导体领域和国外的差距很小，而天岳和露笑的先后突破就是最好的证明。两家企业在不同技术路线、不同阶段发力，接力打破西方长期垄断，印证了只要中国人坚持自主研发就没有突破不了的卡脖子技术。

当然也要清醒的看到天岳已实现产品交付，但仍需进一步优化成本。像露笑距离规模化量产、优化良率和成本仍需要时间，但他们都给国内整个碳化硅产业注入了信心，也让我们看到了中国半导体超车的希望。

我是岩哥，关注我，看懂经济科技与国家发展，不懵圈，有收获。