北京
国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121568429A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成图形化的光刻胶层，所述半导体衬底包括低压器件区域和中压器件区域，图形化的所述光刻胶层暴露出所述低压器件区域和中压器件区域的PMOS管或NMOS管中用于形成浅掺杂区的目标区域；以图形化的所述光刻胶层为掩模，在所述目标区域依次进行阱区离子注入工艺和浅掺杂离子注入工艺，以形成阱区和浅掺杂区。本发明通过在同一个MOS管中采用同一个光罩制备阱区和浅掺杂区，可以在保证器件性能与现有工艺相当甚至更优的前提下，有效减少光罩的使用数量和光刻步骤，从而显著降低制造成本并提升工艺效率与产品均一性。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200759.1697万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1650条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
