408亿砸出国产DRAM 长鑫扭亏冲科创板 破垄断曙光已现

累计投入超408亿，历时9年从行业空白到全球第四，长鑫科技带着国产DRAM的突破，冲击科创板295亿募资。这场逆袭，真的能打破三星等三巨头的垄断吗？

从“空白”到“第四”：长鑫的逆袭密码

2016年之前，国内先进DRAM领域几乎是一片空白，全球90%以上的份额被三星、SK海力士、美光三家牢牢掌控，国内40%的市场需求完全依赖进口。长鑫科技的起步，选择了一条聪明的捷径：收购德国奇梦达破产后的1000多万份专利资料。

不同于福建某企业因合作纠纷陷入美国制裁困境，长鑫的专利布局从一开始就走合法合规路线，2017年提交354项专利，如今累计已超5500项，构建起自己的技术防护墙。这种“站在巨人肩膀上”的后发策略，让长鑫避开了从零研发的漫长周期，2019年就推出了第一颗8Gb DDR4芯片。

独立观点：在海外巨头构建的专利丛林中，后发企业直接从零研发无异于以卵击石，通过合法收购获取技术底座，再结合自主创新迭代，才是突破垄断的高效路径。这一点，长鑫比同行看得更清楚。

逆周期投入：烧钱换未来的产业逻辑

DRAM行业是典型的资本密集型+周期型产业，价格波动周期约3-4年。长鑫的发展之路，正好踩中了行业的低谷期：2022到2024年累计亏损超300亿，截至2025年6月底总亏损达408.57亿。但就在行业普遍收缩产能时，长鑫却坚持跳代研发，6年内完成四代工艺平台的迭代。

受限于EUV光刻机的封锁，长鑫用浸没式DUV设备结合多重曝光工艺，硬生生做出了比肩对手的存储密度。2024年底DDR5和LPDDR5量产，赶上了AI服务器需求爆发的风口，2025年前三季度营收同比增长近100%，三季度单季涨幅更是达到148.8%，毛利率回升至35%，全年预计盈利20-35亿。

独立观点：半导体行业的逆周期投入，考验的不仅是资本的耐力，更是对行业趋势的精准判断。长鑫在低谷期砸钱扩产、研发，本质是用短期亏损换长期的规模效应和技术壁垒，这正是国内半导体企业突破封锁的核心逻辑之一，中芯国际的逆袭也是如此。

IPO补血：国产DRAM的下一站

2025年12月30日，上交所受理了长鑫科技295亿的IPO申请，这是科创板历史上第二大规模的募资。从招股书数据来看，这笔资金将主要用于产线升级和技术研发，尤其是目前长鑫尚未涉足的HBM高端领域。

目前长鑫的产能仅为三星的三分之一，全球份额3.97%，虽然已经成为国内第一、全球第四，但与三巨头的差距依然明显。HBM作为AI时代的核心存储芯片，目前完全被三星、SK海力士垄断，这也是长鑫接下来必须攻克的技术高地。

独立观点：295亿募资不是为了填补过去的亏损，而是为了瞄准高端赛道的技术攻坚。国产DRAM要真正打破垄断，不能只停留在中低端市场，必须在HBM等高端领域实现突破，这才是长鑫IPO的核心意义。

供应链安全：长鑫破局的行业意义

国内是全球最大的DRAM消费市场，占比40%，过去完全依赖进口，不仅价格受制于人，还面临供应链断供的风险。长鑫的崛起，让国内终端厂商有了第二个选择，虽然目前份额还不高，但已经实实在在地提升了国内产业链的议价权。

从国家层面来看，长鑫的突破是半导体自主可控战略的重要成果。在美西方的技术封锁下，国内企业通过逆周期投入、自主创新，逐步打破海外垄断，这种模式为其他卡脖子领域提供了参考。比如在碳化硅材料、高端光刻机零部件等领域，国内企业也在走类似的逆袭之路。

独立观点：国产替代的本质不是追求100%自给自足，而是构建多元化的供应链体系，降低单一来源风险。长鑫的存在，让三巨头不敢随意操控价格、切断供应，这才是对国内产业最大的价值。未来随着长鑫产能的进一步提升，国内DRAM供应链的安全系数将大幅提高。

总结来看，长鑫的逆袭不是偶然，而是资本、技术、政策共同作用的结果。2025年的盈利转正是一个新起点，而非终点。对于国产DRAM来说，打破三巨头的垄断还有很长的路要走，但长鑫已经迈出了最关键的一步。

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