北京
国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法”的专利，公开号CN121556137A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种结合表面迁移率校准的氮化镓外延稳定性增强方法，通过惰性气体冲击和等离子活化对生长层表面进行极化残留中和处理，以生成再生长基底界面。再通过能量脉冲辅助控制生长层表面处于加热和冷却的交替状态，以获取设定厚度的再生长层。对再生长层进行升温处理，调节氨气与金属源流量的比例，以在升温初期生成氮富表面。对应力集中区域进行应力重分配，得到厚层样品。通过比对预设模型迁移率与实测表面扩散响应时间对厚层样品进行迁移率闭环校准，以修正脉冲热流周期与氮富表面的生成时序。本发明解决了低温再生长阶段表面活性恢复滞后、层间应力不均及局部位错快速扩展的技术问题，显著提升了氮化镓外延层的晶体质量与工艺稳定性。
天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息82条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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