化合物半导体，最新预测

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由于化合物半导体在功率、射频和光子学方面具有明显的性能优势，因此其发展势头持续强劲。

在2026年的展望中，衬底和开放式外延片层面的增长情况进行了重新评估，尽管短期内面临价格压力和应用时机调整，但n型SiC和InP仍将引领强劲的长期增长。预计CS衬底市场总额将从2025年的12.9亿美元增长到2031年的27.9亿美元（年复合增长率14%），而开放式外延片市场将从11亿美元增长到23.9亿美元（年复合增长率14%）。

功率应用领域占据主导地位，其中n型碳化硅(SiC)凭借电动汽车电气化、800V架构以及8英寸晶圆的加速普及而推动增长，尽管产能过剩和汽车行业增速放缓短期内会对价格构成压力。功率氮化镓(GaN)的应用范围已从消费级快速充电扩展到汽车和数据中心，但其外延晶圆市场规模仍小于碳化硅。

射频市场保持稳定，主要由手机领域的砷化镓（GaAs）和电信及国防领域的氮化镓（GaN）主导，短期内增长空间有限，但向6G时代稳步迈进。光子学市场发展势头最为强劲，主要受人工智能数据中心和带宽升级的推动，加速了磷化铟（InP）的普及、6英寸平台和高速激光器的应用。

LED 技术仍然成熟且价值较低，而 MicroLED 的普及将在本世纪晚些时候在更现实的预期下重新开始，首先应用于可穿戴设备和 AR 领域。

可扩展平台和应用塑造化合物半导体的未来

化合物半导体在众多终端应用中发挥着关键作用。在汽车市场销量巨大、人工智能数据中心快速扩张以及移动、消费和电信领域需求稳定增长的推动下，各种材料的供应链正在重塑。电力电子是增长最强劲的驱动力，这得益于自2020年代初以来对功率碳化硅(SiC)的大量投资以及近期在功率氮化镓(GaN)领域的战略举措。

碳化硅（SiC）的增长得益于产能规模的扩大以及晶圆尺寸从6英寸向8英寸的过渡，新的中国晶圆和外延片供应商的加入提升了成本竞争力，并满足了开放市场对8英寸晶圆的需求。功率氮化镓（GaN）正朝着混合型IDM和无晶圆/代工厂模式转变，一些代工厂退出市场，而新的厂商则凭借其内部外延技术进入市场；IDM厂商将GaN视为数据中心渗透的战略性技术。

移动和电信射频市场保持稳定，GaAs 和 GaN 增长温和，市场重点在于整合而非扩张。

受人工智能数据中心的推动，光子学展现出强劲的发展势头，加速了高速激光器向 6 英寸 InP 的过渡。

LED和microLED技术已趋于成熟和集中，垂直整合至关重要，尤其是在microLED进军高端可穿戴设备领域之际。更大的衬底尺寸加剧了纯化合物半导体厂商和硅晶圆厂之间的竞争，而中国厂商则继续构建端到端的化合物半导体供应链，以满足国内外的需求。

根据市场动态进行调整，以适应不同的应用场景

化合物半导体（SiC、GaN、GaAs、InP）在功率、射频、光子学和显示等领域不断扩展，日益推动着超越硅的系统级创新。

该行业的路线图由晶圆尺寸缩小、产能建设以及在衬底和外延方面的成本降低努力所定义。

SiC 不断缩小尺寸，达到 6 英寸，并加速采用 8 英寸，新的方法旨在降低成本并提高材料利用率。

GaN 受益于与 CMOS 兼容的 GaN-on-Si 技术，推动晶圆尺寸增大，从而提高可扩展性和降低成本。

在射频和光子学领域，平台过渡仍然缓慢（GaAs 保持标准化，InP 向 6 英寸方向发展），而 MicroLED 的发展势头正在增强，有望在未来十年实现快速增长，衬底的演进是关键的推动因素。

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（来源：编译自Yole）

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