报道：ASML揭秘EUV光源突破，2030年芯片产量有望提升50%

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（来源：网易科技）

阿斯麦（ASML Holding）的研究人员表示，他们找到了一种方法，可以提升关键芯片制造设备中的光源功率，到2030年使芯片产量提高多达50%。

ASML是全球唯一一家商业化生产极紫外光刻（EUV）设备的公司。EUV设备是芯片制造商生产先进计算芯片的关键工具，例如台积电、英特尔等企业都依赖该设备。EUV设备对芯片生产至关重要。

ASML负责EUV光源的首席技术专家Michael Purvis表示：

这一关键挑战在于：以合适的功率和特性生成EUV光，从而实现高产量芯片制造。研究人员已将EUV光源功率从目前的600瓦提升至1000瓦。最大的优势在于，更高功率意味着单位时间内可生产更多芯片，从而降低单颗芯片成本。

芯片的制造过程类似于摄影：EUV光照射在涂有特殊化学材料（光刻胶）的硅晶圆上。更强的EUV光源意味着晶圆曝光时间更短。

ASML负责NXE系列EUV设备的执行副总裁Teun van Gogh在接受媒体采访时表示：“我们希望确保客户能够以更低成本继续使用EUV技术。到2030年，每台设备每小时可处理约330片硅晶圆，而目前为220片。根据芯片尺寸不同，每片晶圆可容纳数十到数千颗芯片。”

ASML之所以能够实现功率提升，是因为在其原本已极为复杂的技术路径上进一步深化创新。

为了产生波长13.5纳米的光，ASML设备会在腔体中喷射熔融锡液滴流，然后用强大的二氧化碳激光将其加热成等离子体。这种超高温物质状态下，锡液滴的温度高于太阳，并释放出EUV光。随后，这些光由德国的Carl Zeiss AG提供的精密光学设备收集，并导入机器进行芯片刻写。

此次公布的关键突破包括：将每秒锡液滴数量提升至约10万个（大约翻倍），并采用两次较小的激光脉冲来塑形形成等离子体，而目前设备仅使用一次脉冲。

科罗拉多州立大学教授Jorge J. Rocca表示。“这非常具有挑战性，因为你必须掌握许多技术。能够实现1千瓦功率，确实令人惊叹。”他的实验室专注于激光技术研究，并培养了多名ASML科学家。

Purvis表示：ASML认为实现1000瓦所采用的技术将为未来进一步提升打开空间。我们已经看到一条相当清晰的路径，可以达到1500瓦，而且从根本上讲，没有理由不能达到2000瓦。