国产HBM重大突破！合肥联盟攻克2.5D封装核心技术，2026年底试产

2026年2月23日，合肥HBM联盟传来重磅进展：由国内存储、封测、设备、接口芯片龙头企业联合组建的产业联合体，正式攻克HBM2.5D封装全链条关键技术，标志着国产高端AI存储芯片进入规模化前夜。

一、联盟构成：全产业链协同攻坚

本次突破并非单一企业成果，而是国产HBM生态的集体突围。合肥HBM联盟成员涵盖：

- 存储芯片：长鑫存储

- 先进封测：深科技、盛合晶微

- 核心设备：北方华创、中微公司

- 接口控制：澜起科技

联盟目标直指打破三星、SK海力士在高端HBM领域的双寡头垄断，补齐国产AI算力最后一块短板。

二、核心突破：2.5D封装关键技术全面攻克

HBM的最大难点在于高密度堆叠与先进封装，本次联盟实现多项关键指标达标：

- TSV硅通孔技术：精度≤5μm，良率稳定95%以上

- 12英寸硅中介层：线宽/线距≤2μm，支持8层DRAM堆叠

- 10μm级微凸块：键合强度、热稳定性达到国际标准

- 专用热管理方案：满足AI高带宽场景下长期稳定运行

目前，国产封装设备替代率已超70%，封测基地月产能达8万片以上，具备快速上量条件。

三、HBM2产品规格与量产时间表

产品核心参数

- 产品类型：HBM2

- 堆叠层数：8层

- 单颗容量：4GB/8GB

- 单颗带宽：256GB/s

- 核心工艺：长鑫1αnm DRAM

量产节奏

- 2026年Q1：完成工程样片，通过国内AI芯片厂商验证

- 2026年底：小批量试产，月产能5000–10000片

- 2027年Q2：规模量产，正式进入高端AI服务器供应链

- 2027年下半年：同步启动HBM3研发

四、战略意义：国产AI算力不再“卡脖子”

此次突破意味着：

1. 填补高端AI存储空白，实现从0到1的关键跨越

2. 成本大幅下降，量产后预计比进口产品低30%–40%

3. 支撑国产GPU/AI芯片生态，形成“芯片+HBM+封装”完整自主产业链

4. 缓解全球HBM供应紧张，为中国AI算力基建提供稳定保障

随着2026年底试产启动，国产HBM将正式进入全球AI存储赛场。