河北
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俄罗斯国立研究型大学莫斯科电子技术学院（简称MIET）的专家们提出了一种确定现代电子学中使用的纳米材料最佳制造条件的方法。该方案将有助于为电脑和智能手机中的随机存取存储器和只读存储器元件制造出更先进的半导体。
研究成果已在《Surfaces and Interfaces》期刊上发表。
据莫斯科电子技术学院的科学家介绍，目前用于制造能够存储和处理数字信息的设备均采用半导体材料。其化学纯度和结构有序性决定了设备的计算能力。
MIET电子显微镜实验室高级研究员、物理与应用数学研究所副教授亚历山大·普里霍季科解释道：“现代设备的开发始于对新材料的可控生长，其中一种材料是锗、锑和碲的化合物，以薄膜形式存在。虽然这类元件的形成过程在全球范围内已经得到了较好的掌握，但关键在于掌握其在硅晶体半导体衬底上进行可控生长的技术——这种方法将使其形成阶段能够融入现有技术流程。”
普里霍季科强调，MIET的科学家与德国及意大利的同事们共同改进了一种工具，能够利用锗、锑和碲的化合物生长出具有指定特性的存储元件薄膜。理解所生成层表面特殊纳米岛的结构与组成，可能会催生更高效、更可靠的数据存储技术。
他介绍：“当薄膜沉积在硅上时，其结构会被破坏：表面会形成纳米级的岛状结构，而且它们在空间中的取向并非随机，而是与硅衬底的对称性有关。我们结合运用现代材料分析方法和机器学习方法（特别是超精确神经网络），帮助发现了这些特性，并认识到它们是制造可靠硬盘和便携存储设备的关键问题。”
未来，专家们计划运用这种结合方法，分析其他薄膜在与“宏观”材料接触时的反应，并改进“数字”视觉，以识别此类相互作用的特性。
本研究工作得到俄罗斯联邦科学与高等教育部支持。
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