北京
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国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有双面半导体晶片的半导体封装件”的专利，公开号CN121548047A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，具有一个或多个双面NAND存储器设备的半导体封装件包括：中介层，该中介层包括一体形成在中介层内的多个多路复用器(MUX)；和多个双面NAND存储器设备，该多个双面NAND存储器设备被设置在中介层上方。双面NAND存储器设备电耦合到MUX。每个双面NAND存储器设备包括：第一NAND存储器管芯，该第一NAND存储器管芯被设置在第一平坦表面上；和第二NAND存储器管芯，该第二NAND存储器管芯被设置在第二平坦表面上、与第一NAND存储器管芯相对并邻近中介层。每个双面NAND存储器设备还包括多个穿硅通孔(TSV)，该多个穿硅通孔(TSV)将第一NAND存储器管芯与第二NAND存储器管芯和MUX电耦合。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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