爆单、涨价、技术迭代，存储芯片开启“狂暴模式”

2025年9月以来，存储芯片领域两大主要产品类别DRAM与NAND闪存现货价格累计上涨超过300%。这波涨价并非简单的市场周期波动，而是AI引发的结构性供需失衡。

2025年以来，存储芯片市场迎来了一场史无前例的 “超级周期”。 深圳存储芯片资源群里，求料询价的消息刷屏不断；分销商靠超前备货提前完成全年KPI，中小厂商却因高价缺料被迫观望；DDR4内存价格一年内涨幅超1900%，HBM 等高端产品更是供不应求。这场由AI引发的产业变革，正在重塑全球存储江湖的格局。

随着OpenAI、Anthropic等科技巨头加快AI军备竞赛步伐，AI数据中心的承建需求呈现爆发式增长。而单台AI服务器对存储的需求量是普通服务器的8-10倍，以英伟达B200显卡为例，其HBM3E显存成本占比接近一半，高达2900美元。

同时，以微软、亚马逊为首的头部云厂商2025年资本开支同比增长65%，AI训练与推理对高带宽、大容量存储的刚性需求，推动HBM市场2024-2026年年复合增长率达59.7%。同时，多模态模型发展催生海量数据存储需求，存储单位向TB、EB级跨越，进一步放大了行业缺口。

而供给端的结构性收缩加剧了供需失衡。晶圆厂的建设周期一般长达18-36个月，新增产能难以快速释放 。 同时，三星、SK海力士、美光三大巨头占据全球93%的DRAM市场份额，形成寡头垄断格局。 为抢占高毛利的AI存储市场，三巨头纷纷将先进产能向HBM、DDR5倾斜，加速退出消费级DDR4产能，二者共同导致了DDR4出现“旧品价格反超新品”的罕见倒挂现象。

此外，存储市场供需结构性失衡也让上游原厂赚得盆满钵满。三星2025年Q4营业利润同比暴涨209%，SK海力士全年净利润增长117%，美光股价一年上涨近500%。而随着存储市场供需错配的持续扩大，巨量的存储需求溢出也为国产存储厂商打开了历史性的突围窗口。

长鑫存储作为DRAM龙头，2025年营收预计达550-580亿元，其DDR5产品已向联想、小米供货，服务器业务进入腾讯、字节验证阶段，科创板IPO获受理标志着国产DRAM迈向规模化。 更值得关注的是，惠普正对中国存储供应商进行资质认证，长鑫存储有望首次进入全球TOP2 PC品牌核心供应链，实现国产存储海外突破。

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责任编辑 | 陈斌